第一代半導體興起于20世紀50年代，以硅、鍺等元素半導體為主要代表，其典型應用是超大規模集成電路芯片，是人類進入信息社會的基石，迄今依然在半導體產業中處于主導地位。

第二代半導體興起于20世紀70年代，以砷化鎵、磷化銦為代表的化合物半導體，彌補了Si材料在發光和高速輸運性質上的局限，應用于長波長光電子（紅外）和微波射頻電子技術，是人類進入光通信和移動通信時代的基礎。

第三代半導體興起于20世紀90年代，以氮化鎵、碳化硅等帶隙寬度明顯大于硅和砷化鎵的寬禁帶半導體材料為代表，具備擊穿電場高、熱導率大等性能，功率芯片將大幅提升特高壓柔性電網、高速列車、新能源汽車、工業電機、智能制造等能源利用效率和智能化水平，射頻芯片支撐5G/6G通信的核心數據傳輸功能，對新興產業的帶動面廣、拉動性強。

美歐日中在第三代半導體發展上“四足鼎立”

2022年7月底，美國和日本宣布成立下一代半導體研究中心，將研究開發2納米芯片技術。日本經濟產業大臣萩生田光一表示，“半導體研究中心將對志同道合的國家開放。”半導體行業“一石激起千層浪”。

當前，第三代半導體產業發展得如火如荼，在現代工業、通信等領域都有巨大的應用前景。蘇州、長沙、合肥、南昌等地都在布局半導體產業園，希望提高在全球的競爭力。接受中國經濟時報記者采訪的人士表示，全球范圍內，美國、歐洲、日本、中國在第三代半導體發展上處于“四足鼎立”狀態。

第三代半導體材料，又稱寬禁帶半導體材料，發展較為成熟的是碳化硅和氮化鎵材料。除了新能源汽車，碳化硅和氮化鎵功率器件在工業控制、電力、軌道交通、消費電子等方面有廣泛應用。

美日歐為了搶占第三代半導體技術的戰略制高點，從2000年就開始通過國家級創新中心、聯合研發等形式，實現了第三代半導體技術的加速進步。第三代半導體的市場需求也持續攀升，在全球范圍掀起投資熱潮。